在国内，手机SIM卡主要有三种，一种是标准SIM大卡，另外一种是Micro SIM(小卡)以及Nano SIM(迷你卡)三种，其中iPhone6使用的是尺寸最小的Nano SIM手机卡，因此在iPhone6安装手机卡时，需要先准备好适合iPhone6的Nano SIM迷你卡。

【iPhone6如何打开卡槽】

1、iPhone6手机卡槽位于机身正面右侧中部，打开iPhone6卡槽，需要使用包装盒中自带的卡针工具，具体方法是，将卡针垂直插入到SIM卡槽下方的小孔中，如下图所示。

2、垂直插入卡针，然后稍微用力一顶，就可以弹出SIM卡槽了，如下图所示。

3、接下来我们就可以松松的取出iPhone6 SIM卡槽了，注意取出后，要注意正反面，待等下安装SIM后，再安装回去。

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【iPhone6气压计怎么使用】

1、初次下载需要输入自己的 Apple ID 账号与密码，如图所示。

2、当下载安装好以后，打开应用会看到下图中的画面。

3、当我们调整手机的高度时，此时你会发现屏上会显示变化的数据。看到图中显示的 hPa 了吗?这就是 iPhone6 通过自身的气压计得出当前的气压压强数值，以 hPa 压强单位来表示的。

4、由于iPhone6才刚上市，在后期肯定还会更多的应用会利用气压计来实现一些特殊的功能，有可能会结合苹果在2015年推出的 Apple Watch 手表，在健康应用中更好的利用气压计这个功能。

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近日一则：「128G的iPhone6/Plus 会莫名崩溃，恐导致大规模召回。」的新闻在网上疯传，并且引起了不少苹果用户的担心，尤其是那些根据「要买就买顶配」的买买买原则而选择了 128G的iPhone的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇，根据报道内容：

“引起 iPhone崩溃的原因竟然是NAND FLASHMEMORY(闪存)模块中IC控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过700个App时，iPhone便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的iOS8.1更新中这个问题并未解决，问题是出在硬件上。”

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么?

首先FLASH MEMORY作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于1984年发明。在 FLASH MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型，其中NOR FLASH属于第一代产品，第一款商用产品是 1988年Intel公司所制造的 NOR FLASH 芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同样是有东芝公司发明，在1988年的国际固态电路研讨会(ISSCC)所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND FLASH相较于NOR FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。

在FLASH模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中，每个单元只存储1比特的信息，这简称为SLC NAND FLASH，其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据，其「多阶」指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值)，如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC 闪存可降低生产成本，但比起SLC闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元(Triple-Level Cell, TLC)TLC闪存，它的架构原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC短，大约1000次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用TLC这个名字，而是称其为3-bit MLC。

iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY

在韩国媒体的报道中「iPhone 不仅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成电路(IC)出现了故障。」在iPhone 内部，这块IC主要任务是其他电子元器件和NAND之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。

那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样?带着好奇，笔者查阅ifixit的拆机资。根据16G的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士(SKhynix)的NAND FLASH，型号为 H2JTDG8UD1BMS。(图中红色部分)

这颗NAND FLASH在海力士的技术文档中被归为E2NAND 3.0，是由SK Hynix和Anobit合作开发的，而Anobit早已被苹果收购，致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注H2JTDG8UD1BMS的类型，但是在全球领先的微电子服务网站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明确规范为NAND MLC FLASH MEMORY。

因此此次韩国媒体存在着失实情况，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY，而非所谓的廉价NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块FLASH中的控制 IC是否存在问题，目前苹果官方并未出面解释，在其他媒体上也未见反映，因此需要进一步确认。

这则新闻的背后

虽然iPhone 6 Plus中的技术细节已经排查清楚，那么为什么这样一则不实新闻会出现呢?笔者接着进行了排查。

这则新闻最先出现于韩国媒体BusinessKorea，蹊跷的是BusinessKorea引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户，他在总计159篇的讨论帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自动崩溃问题。

显然在这个过程中BusinessKorea存在着明显的缺失，新闻事实明显不足，证据单一，说服力较低。除此之外，也没有查明iPhone 6 Plus 的真实元器件，轻易得出了128G iPhone 6 Plus 采用NAND TLC FLASH MEMORY的错误结论。

虽然苹果官方已经表态，不存在128G iPhone 6 Plus大规模自动崩溃的现象，更不可能大规模召回，但是这则失实新闻对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中，iPhone 6 确实出现过程序崩溃的现象，但是次数十分少见，多为越狱后插件冲突所致，而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象，因此各位128G的土豪用户大可放心，只是各家媒体长点心吧!不要一味了眼球而不负责任的转载。

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